■CNT-TFTの構造
　　ボトムコンタクト型
　　トップコンタクト型
　　フレキシブルCNT-TFT 　
　　透明CNT-TFT

■ボトムコンタクト型の製造フロー(総論)

■トップコンタクト型の製造フロー(総論)

■ゲート形成プロセス
　無機メタル膜や無機透明導電膜を用いる場合
　塗布型材料を用いる場合

■ゲート絶縁膜形成プロセス
　塗布型絶縁材料を用いる場合
　成膜型無機材料を用いる場合
　TaOxを用いる場合
　AlOx＋SAMを用いる場合

■ソース/ドレイン形成プロセス
　無機メタルを用いる場合(ドライコーティング法)
　塗布型材料を用いる場合
　CNTを用いる場合

■画素電極形成プロセス
　透明導電材料を用いる場合
　メタル材料を用いる場合
　塗布型材料(導電性ポリマー、CNT、ナノAg)を用いる場合

■半導体層形成プロセス
　CVD法
　ウェット法(SAM処理、金属性SWCNTの分離除去技術、ウェットコーティング法)

■表面改質プロセスを利用したソース/ドレインと半導体層形成プロセス

■パッシベーション形成プロセス

■フレキシブル基板製CNT-TFT作製における注意点
　加工されたフレキシブルサブストレートを用いる場合
　元基板にCNT-TFT＆デバイスを作製した後、プラスチックフィルムに転写する場合
　支持基板に樹脂膜を塗布・硬化後、CNT-TFT＆デバイスを作製し、支持基板をリリースし樹脂膜を基板に用いる場合