■マイクロクリスタルSi TFTの特徴と存在意義

■デバイス構造の分類(エッチングストッパータイプボトムゲート型、バックチャネルタイプボトムゲート型)

■エッチングストッパー型μC-Si TFTの製造プロセス
・レーザーダイレクトパターニング技術を用いた5PEP(総論)
・レーザー選択照射技術を用いた6PEP(総論)
・μC-Siダイレクト成膜技術を用いた5PEP(総論)

■バックチャネル型μC-Si TFTの製造プロセス
・エキシマレーザー技術を用いた5PEP(総論)
・エキシマレーザー技術を用いた4PEP(総論)
・エキシマレーザー技術を用いた3PEP(総論)

■ゲート形成プロセス(各論)

■ゲート絶縁膜、a-Siプリカーサ膜成膜プロセス(各論)

■Mo光熱変換膜成膜・形成プロセス(各論)

■LDビーム照射によるμC-Si化プロセス(各論)

■μC-Si膜ダイレクト成膜プロセス(各論)

■エキシマレーザーアニールによるμC-Si化プロセス(各論)

■エッチングストッパー形成プロセス(各論)

■N+ a-Si膜成膜プロセス(各論)

■ソース/ドレインメタル成膜プロセス(各論)

■ソース/ドレイン、μC-Si膜、N+ a-Si膜一括パターニングプロセス(各論)

■パッシベーション成膜、コンタクトホール形成プロセス(各論)

■ソース/ドレイン、データライン、Siアイランド、反射画素電極一括形成プロセス(各論)

■パッシベーション＆画素電極一括形成プロセス(各論)

■透明画素電極形成プロセス(各論)

■反射メタル画素電極形成プロセス(各論)

▲μC-Siの存在意義とデバイス構造

▲プロセスフローサンプル�@

▲プロセスフローサンプル�A